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TLS 劃片(熱激光分離)是一種獨特的技術,利用熱誘導產生的機械應力來分離硅(Si)、碳化硅(SiC)、鍺(Ge)等脆性半導體材料。該技術可將晶圓分割成芯片,同時實現邊緣質量,顯著提升制造良率與產能。與傳統的劃片技術(如刀片切割和激光燒蝕)相比,TLS 劃片工藝更潔凈,切割邊緣無微裂紋,并能獲得更高的抗彎強度。
TLS 劃片的切割速度可達每秒 300 毫米,相比傳統劃片方法,其工藝吞吐量可提升高達 10 倍,尤其適用于碳化硅(SiC)基器件,能夠真正實現高產能的大規模生產。
此外,與其它晶圓劃片方法相比,TLS 劃片可將每片晶圓的劃片成本降低一個數量級甚至更多。
TLS-Dicing 是一種無切縫(kerf-free)的激光解理工藝,可實現:
切割后芯片邊緣質量好
•幾乎無崩邊和微裂紋
•抗彎強度
•電學特性
成本優勢與效率
•高工藝速度帶來高吞吐量
•無需刀具,幾乎無耗材,顯著降低擁有成本(CoO)
•無切縫解理,幾乎不產生顆粒
TLS-Dicing 是一種用于解理脆性半導體材料的兩步分離工藝。

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